STC8G1K17 flash做EEROM存储问题。

FYP***

在使用该芯片时，采用官方例程“10-通过串口1发送命令读写EEPROM测试程序”测试，烧录时选择的是分配1K的空间作为EEpROM，读写都是正常的。发送“W 0x0000 0123456789”  “R 0x0000 10”指令读写正常，甚至将地址改成0x01f0读写也正常，当地址是0x03f0（“W 0x03f0 0123456789” ）读写也正常。测试当地址是0x03fa时出错，推测此时是地址超出刚才分配的1K空间的原因。


之后，将eeprom.c和eeprom.h加载到项目中，并增加如下程序。


//===========================================================================================================================================================================
void Write_SenPar(void)
{
        uint8 i;
        uint8 Buff[128];
        
        EEPROM_read_n(0x0200,Buff,128);
        for(i=0;i<4;i++)
        {
                Buff                =Global[0].uhex;
                Buff[i+4]        =Global[1].uhex;
               
                Buff[i+16]        =Zero_Dat[0].uhex;
                Buff[i+20]        =Zero_Dat[1].uhex;
        }
        EEPROM_SectorErase(0x0200);
        EEPROM_write_n(0x0200,Buff,128);
}
//===========================================================================================================================================================================
void Ram_Init(void)
{
        uint8 i;
        uint8 Buff[128];
        
        EEPROM_read_n(0x0200,Buff,128);
        
        for(i=0;i<4;i++)
        {
                Global[0].uhex        =Buff;
                Global[1].uhex        =Buff[i+4];
        }
        
        if(Zero_X_Flag)                 //Zero_X_Flag和Zero_Y_Flag在执行Write_SenPar（）时被修改为1.#define        Zero_X_Flag                        Global[0].flag.b0，#define        Zero_Y_Flag                        Global[0].flag.b1
        {
                for(i=0;i<4;i++)
                        Zero_Dat[0].uhex        =Buff[i+16];
        }
        else
                Zero_Dat[0].Float        =0.0;
        
        if(Zero_Y_Flag)
        {
                for(i=0;i<4;i++)
                        Zero_Dat[1].uhex        =Buff[i+20];
        }
        else
                Zero_Dat[1].Float        =0.0;
        
}


在main函数一开始就进行了Ram_Init（），在另一处函数中写入参数。


//===========================================================================================================================================================================
void Zero_XY_Fun(void)
{
        Zero_Dat[0].Float        =Angle_Old[0];
        Zero_Dat[1].Float        =Angle_Old[1];
        Zero_X_Flag        =1;
        Zero_Y_Flag        =1;
        Write_SenPar();
}

另外，注意到，每次烧录程序的时候，之前保存在用户eeprom中的数据会被清除掉，即使我取消勾选“下次下载用户程序时擦出用户EEPROM区”，甚至我同时取消勾选“清除EEPROM缓冲区”，结果都会擦除掉。

再咨询一下，主频一样的情况下，STC8G2K48S2的功耗和STC8G1K17（4mA左右）是否差不多？二者的代码是否能兼容？主要使用一下功能:2路CCP捕获功能计算占空比，串口输出，EEPROM，1路ADC，2路定时器。如果二者兼容或者是代码改动很小，考虑换STC8G2K48S2.

执行完Zero_XY_Fun后，显示是预期的操作结果。重新上电后，Ram_Init（）的初始化并没有将Zero_Dat[0].Float和Zero_Dat[1].Float保存的结果读出来。

请帮忙看一下，主要原因在哪里。

乘风***

大部分芯片的ID号在烧录时STC-ISP程序会从芯片里读出来存放在Flash最后一个扇区的最后位置，你的EEPROM设置1K的话，芯片ID号就存放在EEPORM的0x03f9~0x03ff位置。所以直接写这块地址的数据会出错，擦除后再写应该就没有问题。
STC8G1K17是IAP类型芯片，每次烧录时固定会擦除整个Flash，取消“下次下载用户程序时擦除EEPROM区”勾选对旧版本IAP类型芯片无效，以下新版本固件的芯片才会有效：

FYP***

乘风飞扬 发表于 2023-2-20 13:29
大部分芯片的ID号在烧录时STC-ISP程序会从芯片里读出来存放在Flash最后一个扇区的最后位置，你的EEPROM设置 ...

我先改版加个EEROM上去，毕竟I2C我也调试过，用起来方便。等以后需要修改的时候再换型号。